Proces chemické depozice par

Proces chemické depozice par

Proces chemické depozice par je rozdělen do tří důležitých stupňů: reakční plyn difunduje na povrch substrátu, reakční plyn se adsorbuje na povrchu substrátu, na povrchu substrátu dochází k chemické reakci za vzniku pevného depozitu, a vedlejší produkty plynné fáze se oddělují od povrchu substrátu. Nejběžnější chemické depoziční reakce jsou: reakce tepelného rozkladu, chemické syntézy a chemické transportní reakce. Obvykle se TiC nebo TiN nanáší zavedením TiCl4, H2, CH4 a dalších plynů do reakční komory při 850 až 1100 ° C a vytvořením povlaku na povrchu substrátu chemickou reakcí.