Izoelektronické rekombinační centrum
Určité množství atomů nečistot ekvivalentních hlavním atomům je dodáno do polovodiče, aby nahradily atomy v příhradových bodech. Vzhledem k rozdílu v elektrických vlastnostech mezi atomy nečistot a hlavními atomy mohou neutrální atomy nečistot vázat elektrony nebo otvory a stát se nabitými centry. Nabité centrum přitahuje dopravce s opačnými značkami než vázané nosiče, což vytváří exciton vázaný stav. Tento vázaný stav excitonů se nazývá izoelektronické rekombinační centrum.
