Efekt rozšíření základní zóny
Účinek modulace šířky základny bipolárních tranzistorů (nebo nazývaný efekt změny šířky základny) je jev, při kterém se účinná šířka základny mění s aplikovaným napětím.
Šířka oblasti náboje PN spojovacího prostoru je určena aplikovaným napětím a koncentrací nečistot. Když je tranzistor v pracovním stavu zesilovače, je emitorová křivka předpjatá dopředu, kolektorová křivka je předpjatá dopředu a napětí zpětného předpětí VCB je relativně vysoké. S nárůstem napětí zpětného předpětí se šířka oblasti prostorového náboje křižovatky kolektoru zvětšuje, což snižuje efektivní šířku základní oblasti. Když napětí reverzního předpětí klesá, šířka oblasti prostorového náboje křižovatky kolektoru se zmenšuje, což vede k efektivní šířce základní oblasti. zvýšit. Pak se Ic zmenší. Tento jev, kdy se efektivní šířka základní oblasti mění s aplikovaným napětím, se nazývá efekt modulace šířky základní oblasti, známý také jako raný efekt.